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      嵌入式便携设备中一种基于最高决策的系统级电源管理模块构架详解

      2020年03月30日 08:37 ? 次阅读

      现今对电子系统设备性能的要求越来越高,在权衡电子系统的性能和功耗时,电子系统的性能往往得到更多的重视。容量有限的电池是便携设备的惟一能量来源,而电池容量的提高速度明显赶不上中央处理器性能的提高速度,因此,如何利用有限的电能为便携设备提供最高性能,是便携设备中电源管理的主要目标。除此之外,电源管理还要兼顾稳定性和散热性。电源管理模块是在可编程电源管理的设备上,为电源管理提供实现各种功耗模式的应用编程接口的软件模块。

      功率消耗有两种方式: 静态功耗和动态功耗。静态功耗主要为晶体管泄漏(leakage)功率;动态功耗则来源于电路有效性激活,例如地址线或者数据线输入时引起的寄存器线路的有效性激活。开关电容所消耗的功率是动态功率消耗的最主要组成部分,即在电路输出时开关电容进行充放电过程所消耗的功率:

      由式(1)可知Pdynamic依赖以下4个参数: C(电容量)、V(电压)、f(信号频率)和a(可变因数)。其中,a与芯片中出现0-1转换的次数有关。降低动态功耗的方法相应地分为4类:

      ① 降低电容量或者电路的储电量。

      ② 降低开关的活跃性。由于计算机芯片被越来越复杂的功能性所包装,使得芯片的开关活跃性增强,因而降低开关活跃性对降低系统动态功耗起到的作用越来越大。时钟门控(time gaTIng)技术是当前流行的降低开关活跃性的技术,这种技术使得时钟信号不通过闲置应用单元。因为时钟网络是芯片功率消耗的主要部分,这种技术恰恰可以在处理器中有效地降低功率和电量消耗。

      ③ 降低信号频率。

      ④ 降低电压。

      后两种方法是以降低系统性能为代价的,但同时也是降低系统功耗的主要手段。系统电源管理就是通过认识系统任务(task)和状态(status),利用合理的电源管理策略,权衡提高系统性能和降低系统功耗之间的关系,在功耗最低的情况下,为系统应用提供最优性能。本文从任务信息和系统状态两个角度对降低系统功耗的管理进行探讨研究,并提出一种基于最高决策的系统级电源管理模块构架。

      1 功耗管理技术分析

      1.1 系统状态、任务和电源管理策略信息

      电源管理的前提是对系统设备状态及任务信息的准确检测和管理,以及对电源管理策略进行准确的效率统计。

      系统状态包括Running(工作)状态、Idle(空闲)状态和Sleep(休眠)状态。有的系统可以提供多模式的工作状态,区别主要在于处理器工作频率、工作电压和设备组合的不同。任务的实时指标包括响应时间(response TIme)、延时(latency)和任务截止期(deadline)。硬实时任务对这些指标有硬性的要求,当系统不能达到该指标时,提供的数据或服务就会完全失效,甚至造成灾难性的后果;软实时任务则对其只有软性要求,达不到指标的后果只是无法提供要求的服务质量。任务的信息除了实时指标以外,还有执行任务所使用的设备部件。如果是多工作模式系统,则还要包括执行该任务的最低工作模式。许多操作系统和处理器都能够提供很好的检测模块和功能单元。例如,LinuxTImer函数可以提供系统状态监测计时, Intel XScale处理器的PMU(Performance Monitoring Unit)单元,可以用来监视XScale平台的工作情况。对系统状态和任务信息的检测和管理是管理模块中的重要部分之一。

      电源管理策略信息包括核心算法和工作效率:饬康缭垂芾聿呗缘男士梢酝ü扑恪熬赫取保╟ompeTItive ratio)和“错误率”等来判断。D. Ramanathan[2]在利用竞争分析方法分析电源管理策略中使用了“竞争比”这个衡量指标。竞争分析方法的前提: 假设所研究的问题有一个竞争对手,而且这个对手对该问题的输入能够产生影响。竞争比的定义是在线(online)策略所消耗的资源与完成任务可能消耗的最少资源之间的比值。这里,在线策略是针对负载未知的系统的电源管理策略。因为在实际系统中,系统下一个任务请求的到达时间是不可能完全正确预知的,而可能消耗的最少资源就是在电源管理策略能完全正确预知下一个任务请求到达时间的前提下所消耗的资源。这里的资源可以简单地用功耗代替,也可以结合系统执行任务的延时,即系统性能。预测错误率是针对预测策略的效率指标,它等于预测错误次数与总预测次数之间的比值,并可利用布尔数来判断预测错误率的评估函数。

      1.2 Running状态下的电源管理方法

      当系统处于Running状态时,电源管理模块根据任务信息,在完成任务的前提下,通过转换系统设备的状态或者工作模式来达到降低功耗的目的。例如: 任务按照运算密集型和存取密集型分类,在执行运算密集型的任务时,可以在保证任务完成的实时需求的前提下通过降低总线频率来降低系统功耗;在执行存取密集型的任务时,可以通过降低处理器的工作频率来降低功耗。

      当系统执行多工作量的任务或者同时执行多任务时,有效的电源管理策略是任务调度和任务截止期(deadline)相结合的电源管理策略。这种电源管理策略的基本思想是: 将任务按使用设备和任务集合分组,罗列所有调度可能,排除约束条件(在截止期内完成)以外的调度,在任务截止期内尽量使同组任务集中执行,从而使系统空闲时间尽可能集中,以实现动态电源管理。应用于该策略的任务调度流程如图1所示。

      嵌入式便携设备中一种基于最高决策的系统级电源管理模块构架详解

      图1 结合任务截止期的任务调度流程

      基于任务调度和任务截止期的电源管理策略的调度任务原则是:

      ① 调度能耗越低,则优先级越高;同组的任务按截止期排序;每组第一个任务的截止期越早,则该组调度的优先级越高;每组最后一个任务的截止期越早,则该组调度的优先级越高。

      ② 对于调度能耗与截止期完全相同的调度,先到达者具有更高的优先级。

      ③ 当有外部任务请求使用休眠的设备时,电源管理模块重新安排任务的优先级。

      设连续函数P(s),如果系统设备运行在速度s下,则其消耗的功率为P。根据基于CMOS工艺的设备的立方根(cube瞨oot)原理,则有:

      为了便于分析,将功耗与系统设备运行速度的关系表示为下式:

      这是一个严格的凸函数,它传达的信息是,任务进行得越慢,越节省功耗。这是基于任务截止期约束任务完成的电源管理策略的基本出发点。当前有不少基于任务截止期约束任务完成的电源管理策略,例如简单化的在线策略AVR[3](Average Rate)、OA(Optimal Available)和BKP策略[4]等就是这类策略的典型。其中: AVR策略假设系统中只有一个任务在执行;OA策略假设不会再有新任务进入安排;而BKP策略则在c比较大时才能够很好地降低功耗。

      1.3 Idle状态下的电源管理方法

      系统设备完成任务后,将处于Idle状态的系统设备进行状态转换是该状态下电源管理的主要方法。主流策略有Timeout策略、基于预测的管理策略和基于随机的管理策略。其中,Timeout策略最简单易行。该策略流程如图2所示。

      嵌入式便携设备中一种基于最高决策的系统级电源管理模块构架详解

      图2 Timeout策略流程

      系统完成所有任务后,处于Idle状态的持续时间超过该阈值时,电源管理模块将系统转换至Sleep状态,直到有新任务请求到达时再唤醒系统。通过这种方式达到降低系统设备功耗的目的。该时间间隔可由系统提供的计时模块设定,而时间阈值Tth的设定由下式确定:

      式中: Etran是已知的系统从Idle状态到Sleep状态再到唤醒,共两次状态转换所消耗的总能量;PI是系统处于Idle状态所消耗的功率。

      图3为Timeout策略中两种性能的损耗情况。图中,E为Running(工作)状态时间,I为Idle状态时间,F为时间阈值,D为状态转换时间,S为休眠状态时间,W为系统设备唤醒时间。该策略简单,但缺点也很明显。如图3所示,当I》F+D时,等待时间阈值的设定容易损失更多的降功机会,同时因为系统状态唤醒转换的耗时耗能,必然引起任务等待延时;甚至当F+D》I》F时,延时会大于唤醒耗时,这将造成很大的性能损失;同时任务执行时间的延时,还会直接导致下一个Idle状态持续时间的缩短。这样基于对任务完成后Idle状态时间和下一个任务来临时间的预测的电源管理策略就显得很有效率。

      嵌入式便携设备中一种基于最高决策的系统级电源管理模块构架详解

      图3 Timeout策略中两种性能的损耗情况

      基于预测的电源管理策略是根据系统信息(包括历史信息和用户习惯等),对系统将要处于Idle状态的持续时间Tpred进行预测。比较Tpred和Tth,当Tpred≥Tth时在任务完成后立即将系统转换到休眠状态;否则,继续维持系统Idle状态。预测时刻和Idle状态中的预测间隔由具体策略决定。

      基于预测的电源管理策略的核心是,使用何种算法来利用系统反馈信息去更新算法的预测根据。要做出符合系统设备用户使用习惯和任务请求的准确预测,就需要对用户习惯的认识程度不断加深,并对系统任务信息和策略历史信息有较全面的统计。自适应学习树ALT(Adaptive Learning Tree)策略、PBALT(Probability睟ased ALT)策略,以及基于AR(Auto睷egressive)模型的预测控制反馈PCF(Predictive Control Feedback)预测策略等都是优化过的预测策略。PBALT策略利用概率反映准确率,加强了分树之间的关联性和ALT方法的学习能力;但这种策略的边界条件限制制约了它的应用范围。PCF预测策略的自适应性是通过其反馈模块来控制的;但预测策略本身在针对非平稳状态的任务请求时效率不稳定,同时,预测策略基本只考虑系统有一个工作模式,这些都限制了它的应用。

      基于随机的电源管理策略是一种具有不确定性的优化策略,这种不确定性源于系统模型的抽象性;谒婊牡缭垂芾聿呗圆唤鲋付ê问苯凶刺,而且还指定转换到哪一工作模式,因此适用于多工作模式的系统设备。它将动态电源管理看作是随机最优化问题,而不像基于预测的电源管理策略那样通过预测的方法消除任务请求的不确定性;贑TMDP(连续时间马尔可夫决定过程)的随机决定动态电源管理策略给出了系统电源管理的一个最优化的决定,但这种最优化是在一个具有不确定性的模型基础上的,即这种算法所得到的最优化的决策只能得到系统的性能和功耗的一个预期值,并不能保证在特定的系统设备中适用,而且马尔可夫过程数学模型的建立也是需要仔细分析的。

      2 基于最高决策的电源管理策略

      由以上对系统电源管理策略的分析可知,系统设备的电源管理贯穿系统设备的各个状态,因此应提出一种电源管理方法,将多种电源管理策略结合起来对系统功耗进行协同管理。该电源管理构架中有一个策略集合,每个策略都有自己的优先级,按需求使用各个策略来进行多策略电源管理。但这种构架也存在问题: 首先复杂系统的任务很可能多种多样,而且电源管理策略针对不同的任务其降功效率也不同,仅用电源管理策略的优先级来决定使用电源管理策略,缺乏针对性;此外各策略信息应该在执行系统任务的过程中得到统计,并自适应地改变其优先级。

      这里提出一个基于最高决策管理模块的电源管理构架。这种系统设备电源管理构架包括了最高决策模块、任务信息统计模块、策略集合模块、信息检测模块和控制模块5个主要部分,如图4所示。

      嵌入式便携设备中一种基于最高决策的系统级电源管理模块构架详解

      图4 基于最高决策的降功管理模块构架

      信息检测模块: 用于检测系统状态信息和新到的任务信息。

      任务信息统计模块: 用于统计系统设备所执行的任务信息,并解释成准确的任务信息参数。

      策略集合模块: 通过对系统状态和任务信息等进行动态的统计,计算电源管理策略的效率,更新电源管理策略信息并解释成准确的电源管理策略参数。

      最高决策模块: 根据接收的任务和系统状态信息,在策略集合中选择最优的电源管理策略或者电源管理策略组,通过控制模块对系统设备进行电源管理。

      任务信息是实时接收的;系统状态信息是在每次系统状态改变时,由信息检测模块提供给最高决策模块的;电源管理策略的信息指计算后的电源管理效率,以及电源管理策略适用的系统状态和任务。例如,当新任务到达后,必然有一种预测策略对此任务完成后的Idle状态持续时间的预测效率最高。电源管理策略控制期间,每一次决策的成功或失败都会改变该电源管理策略的优先加权参数。这样最高决策模块根据系统状态和任务信息,决定采用最优的电源管理策略或者电源管理策略组,使系统设备的各个部分得到最优的电源管理。

      3 小结

      当今便携设备中电源管理的核心是电源管理策略,本文中提出的基于最高决策的电源管理构架的关键是预先选定电源管理策略集合。关于电源管理策略,有两方面问题需要继续探讨和研究: 第一,权衡系统设备工作性能和功耗。电源管理策略进行系统功耗管理过程中,虽然电源管理策略尽量避免延时,但是这种延时又不可避免。系统使用者对于性能和功耗的权衡直接影响电源管理策略的选择,以及电源管理策略中具体参数的预设。第二,权衡电源管理效果和复杂度。策略集合和任务信息集合的尺寸越大,统计信息越完备,电源管理策略的决策就越准确,但同时电源管理模块的复杂度也增加了,这直接关系到其工程实现的复杂程度。另外,建立电源管理策略标准,提供电源管理策略包和任务信息包,规范系统状态和任务信息,也将有利于便携设备电源管理技术的发展。

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      研华全面布局AIoT 赋能全球物联网产业链

      万物互联时代,边缘计算、人工智能、大数据分析等技术深度融合,成为各行业数字化转型的关键。为凝聚产业力...

      发表于 2020-03-30 17:22 ? 653次阅读
      研华全面布局AIoT 赋能全球物联网产业链

      UltraFast嵌入式方法检查表介绍及使用方法

      UltraFast嵌入式方法检查表介绍,解释清单的功能以及如何使用它。

      发表于 2020-03-30 06:45 ? 159次阅读
      UltraFast嵌入式方法检查表介绍及使用方法

      Matrix多重HLS IP和DAVE Bora...

      DAVE嵌入式系统在嵌入式世界2015中展示了Matrix多重HLS IP和DAVE Bora套件

      发表于 2020-03-30 06:43 ? 212次阅读
      Matrix多重HLS IP和DAVE Bora...

      使用iVeia视觉套件进行Canny边缘检测HL...

      iVeia使用嵌入式世界2015中的iVeia视觉套件演示了Canny边缘检测HLS IP

      发表于 2020-03-30 06:41 ? 166次阅读
      使用iVeia视觉套件进行Canny边缘检测HL...

      首发:周立功教授《嵌入式软件工程方法与实践丛书》...

      11月24日,由周立功教授主导撰写的《嵌入式软件工程方法与实践丛书》前三本,共计200万字,在全国嵌...

      发表于 2020-03-30 16:41 ? 2839次阅读
      首发:周立功教授《嵌入式软件工程方法与实践丛书》...

      单片机电路设计中的10个难点

      单片机是嵌入式系统的核心元件,使用单片机的电路要复杂得多,但在更改和添加新功能时,带有单片机的电路更...

      发表于 2020-03-30 15:44 ? 645次阅读
      单片机电路设计中的10个难点

      人工智能应用场景越来越多 逐渐成为各个行业的必备...

      从2015年开始,人工智能概念从提出伊始就受到市场的高度重视,从无人商店到智慧金融,从智慧物流到智能...

      发表于 2020-03-30 17:12 ? 1052次阅读
      人工智能应用场景越来越多 逐渐成为各个行业的必备...

      华北工控嵌入式计算机硬件方案在无人零售超市中的应...

      “无人”概念在各项智能技术层出不穷的背景下,得到越来越全面的推广。不论是无人零售实体店,还是无人售货...

      发表于 2020-03-30 17:05 ? 525次阅读
      华北工控嵌入式计算机硬件方案在无人零售超市中的应...

      华北工控环境检测嵌入式硬件系统产品方案浅析

      与其他行业相比,化工行业本身所具备的易爆、易燃、腐蚀性等特点使其在安全防范上更具有挑战性,其中涉及到...

      发表于 2020-03-30 16:58 ? 250次阅读
      华北工控环境检测嵌入式硬件系统产品方案浅析

      嵌入式是否是一个大坑呢?嵌入式软硬件开发都是坑?

      这是一个与毕业一年的初级工程师的对话,他来自二线城市,通过加班抗住现有的工作。一个问题调试好几年确不...

      发表于 2020-03-30 16:35 ? 595次阅读
      嵌入式是否是一个大坑呢?嵌入式软硬件开发都是坑?

      将DSP设计融入嵌入式系统的AXI4-Lite接...

      了解System Generator如何提供AXI4-Lite抽象,从而可以将DSP设计融入嵌入式系...

      发表于 2020-03-30 07:24 ? 213次阅读
      将DSP设计融入嵌入式系统的AXI4-Lite接...

      Airbus智能工具的演示

      嵌入式产品产品经理Eric Myers使用NI系统模块(SOM)演示了Airbus智能工具概念,用于...

      发表于 2020-03-30 07:05 ? 151次阅读
      Airbus智能工具的演示

      Xilinx Zynq UltraScale+ ...

      Lauterbach演示了Zynq UltraScale + MPSoC上的ARM Cortex-A...

      发表于 2020-03-30 06:48 ? 182次阅读
      Xilinx Zynq UltraScale+ ...

      Mentor嵌入式多核架构的展示

      Mentor嵌入式多核架构允许在Zynq UltraScale + MPSoC上的两个ARM Cor...

      发表于 2020-03-30 06:44 ? 221次阅读
      Mentor嵌入式多核架构的展示

      几个嵌入式硬件设计时特别要注意的问题

      并不是所有的总线信号都要上拉。上下拉电阻也有功耗问题需要考虑。上下拉电阻拉一个单纯的输入信号,电流也...

      发表于 2020-03-30 16:05 ? 538次阅读
      几个嵌入式硬件设计时特别要注意的问题

      7个易操作且可以长久使用的嵌入式开发技巧

      软件开发人员往往都是非常乐观的一群人,只要让他们的代码忠实地长时间地运行就可以了,仅此而已。

      发表于 2020-03-30 15:37 ? 384次阅读
      7个易操作且可以长久使用的嵌入式开发技巧

      如何在嵌入式Linux中使用GPIO

      了解如何在嵌入式Linux中使用GPIO,特别强调Zynq-7000系列。 我们介绍了基本的用户和...

      发表于 2020-03-30 07:02 ? 203次阅读
      如何在嵌入式Linux中使用GPIO

      Zynq的新产品PCI-Express板及医疗解...

      Xilinx卓越联盟计划成员主题嵌入式产品推出新的佛罗里达PCI-Express板,支持两个基于Zy...

      发表于 2020-03-30 06:55 ? 207次阅读
      Zynq的新产品PCI-Express板及医疗解...

      linx Spartan-6 LX9 Micro...

      介绍这款低成本,紧凑的评估板,完整且可随时开发。

      发表于 2020-03-30 06:20 ? 197次阅读
      linx Spartan-6 LX9 Micro...

      可编程逻辑与Visual Applets相结合的...

      这款用于智能电台的嵌入式计算机视觉演示通过将Zynq All Programmable SoC中的可...

      发表于 2020-03-30 06:15 ? 252次阅读
      可编程逻辑与Visual Applets相结合的...

      康佳携嵌入式计算机和嵌入式视觉技术融合的嵌入式视...

      德国康佳特科技在2018德国慕尼黑电子展(Electronica)中亮相嵌入式计算机和嵌入式视觉技术...

      发表于 2020-03-30 11:38 ? 351次阅读
      康佳携嵌入式计算机和嵌入式视觉技术融合的嵌入式视...

      混合系统集成了嵌入式HMI和基于云的软件服务

      人机界面可以汇集数据,并与云协同工作,从而可以提供强大、可扩展、低成本的方式来收集和分发工业设施数据...

      发表于 2020-03-30 17:04 ? 987次阅读
      混合系统集成了嵌入式HMI和基于云的软件服务

      全球最小的嵌入式RAID1解决方案亮相 主要针对...

      随着工控与各种嵌入式计算系统的体积越来越小,存储设备亦进一步小型化,2.5英寸SATA、mSATA及...

      发表于 2020-03-30 16:46 ? 172次阅读
      全球最小的嵌入式RAID1解决方案亮相 主要针对...

      基于人工智能神经网络的嵌入式机器学习

      人工智能的火爆,也带旺了许多新名词,比如“机器学习”。

      发表于 2020-03-30 10:23 ? 746次阅读
      基于人工智能神经网络的嵌入式机器学习

      嵌入式Linux工程师需要了解的八大开发知识点

      嵌入式Linux工程师的学习需要具备一定的C语言基础,C语言是嵌入式领域最重要也是最主要的编程语言,...

      发表于 2020-03-30 16:14 ? 430次阅读
      嵌入式Linux工程师需要了解的八大开发知识点

      西部数据发布智能终端的数据存储 视频监控领域的端...

      近日,西部数据公司发布了全新的三个监控存储解决方案,包括应用于监控的工业级3D NAND UFS嵌入...

      发表于 2020-03-30 14:55 ? 313次阅读
      西部数据发布智能终端的数据存储 视频监控领域的端...

      Spartan-6 FPGA嵌入式套件的功能特性...

      了解新的Spartan?-6 FPGA嵌入式套件如何使您能够使用低成本的Spartan-6 FPGA...

      发表于 2020-03-30 06:37 ? 376次阅读
      Spartan-6 FPGA嵌入式套件的功能特性...

      嵌入式视觉的最新趋势讨论

      Xilinx嵌入式视觉战略营销总监Aaron Behman讨论了嵌入式视觉的最新趋势以及Xilinx...

      发表于 2020-03-30 06:31 ? 303次阅读
      嵌入式视觉的最新趋势讨论

      UCC27532 栅极驱动器

      UCC27532是一款单通道,高速,栅极驱动器,此驱动器可借助于高达2.5A源电流和5A灌电流(非对称驱动) UCO27532器件还特有一个分离输出配置,在此配置中栅极驱动电流从OUTH引脚拉出并从OUTL引脚被灌入。这个独特的引脚安排使得用户能够分别在OUTH和OUTL引脚上采样独立的接通和关闭电阻器并且能很轻易地控制开关的转换率。 此驱动器具有轨到轨驱动能力和典型值为17ns的极小传播延迟。 UCC27532DBV具有CMOS输入阀值,此阀值在VDD低于或等于18V时介于比VDD高55%的电压值与比VDD低45%的电压值范围内。当VDD高于18V时,输入阀值保持在其最大水平上。 此驱动器具有支持固定TTL兼容阀值EN引脚.EN被内部上拉;将EN下拉为低电平禁用驱动器,而将其保持打开可提供正常运行.EN引脚可被用作一个额外输入,其性能与IN引脚一样。< /p> 将驱动器的输入引脚保持开状态将把输出保持为低电平。驱动器的逻辑运行方式被显示在应用图,时序图和输入与输出逻辑真值表中。 VDD引脚上的内部电路提供一个欠压闭锁功能,此功能在VDD电源电压处于运行范围内之前将输出保持为低电平。 UCC27532驱动器采用6引脚标准SO...

      发表于 2020-03-30 11:19 ? 34次阅读
      UCC27532 栅极驱动器

      UCC27523 双路 5A 高速低侧电源 MO...

      UCC2752x系列器件是双通道,高速,低侧栅极驱动器,此器件能够有效地驱动MOSFET和绝缘栅极型功率管(IGBT) UCC2752x能够将高达5A拉电流和5A灌电流的高峰值电流脉传送到电容负载,此器件还具有轨到轨驱动能力和典型值为13ns的电源开关。的极小传播延迟。除此之外,此驱动器特有两个通道间相匹配的内部传播延迟,这一特性使得此驱动器非常适合于诸如同步整流器等对于双栅极驱动有严格计时要求的应用。这还使得两个通道可以并连,以有效地增加电流驱动能力或者使用一个单一输入信号驱动两个并联在一起的开关。输入引脚阀值基于TTL和CMOS兼容低压逻辑,此逻辑是固定的并且与VDD电源电压无关。高低阀值间的宽滞后提供了出色的抗扰度。 UCC2752x系列产品提供了三标准逻辑选项的组合 - 双路反相,双路非反相,一路反相和一路非反相驱动器.UCC27526特有一个双输入设计,此设计为每个通道提供了反相(IN-引脚)和非反相(IN +引脚)配置的灵活性.IN +或IN-引脚中的任何一个控制驱动器输出状态。未使用的输入引脚可被用于启用和禁用功能。出于安全的考虑, UCC2752x系列内所有器件输入引脚上的内部上拉和下拉电阻器可在输入引脚...

      发表于 2020-03-30 11:19 ? 11次阅读
      UCC27523 双路 5A 高速低侧电源 MO...

      UCC27511A-Q1 UCC27511A-Q...

      UCC27511A-Q1器件是紧凑型栅极驱动器,可为NPN和PNP离散驱动器(缓冲电路)解决方案提供高品质替代方案.UCC27511A- Q1器件是一款汽车应用级单通道低侧,高速栅极驱动器,适用于金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),绝缘栅极极晶体管(IGBT)和新上市的宽带隙电源器件(例如GaN UCD27511A-Q1器件具有快速上升时间,快速下降时间和快速传播延迟,因此非常适合高速应用。此器件采用非对称驱动,具有4A峰值拉电流和8A峰值灌电流,从而提升了抗米勒接通效应能力。分离输出配置仅通过两个电阻器便轻松实现了对上升和下降时间的独立调节,并且无需使用外部二极管。 特性 符合汽车应用要求 具有符合AEC-Q100的下列结果: 器件温度1级别:-40°C至125°C的环境运行温度范围 器件人体模型(HBM)静电放电(ESD)分类等级2 器件充电器件模型(CDM) ESD分类等级C4B 低成本栅极驱动器器件提供NPN和PNP离散解决方案的高品质替代产品 4A峰值拉电流和8A峰值灌电流非对称驱动 强劲的灌电流提供增强的抗米勒接通效应性能 UCC27511A-Q1内的分离输出配置(可独立对接通和关闭速度实现简便调节)...

      发表于 2020-03-30 11:19 ? 0次阅读
      UCC27511A-Q1 UCC27511A-Q...

      UCC27201A-Q1 汽车类 120V 升压...

      UCC27201A-Q1高频N沟道MOSFET驱动器由120V自举二极管和高侧/低侧驱动器组成,其中高侧/低侧驱动器配有独立输入,可最大限度提高控制灵活性。这可在半桥式,全桥式,两开关正激式和有源钳位正激式转换器中提供N沟道MOSFET控制。低端和高端栅极驱动器是独立控制的,并在彼此的接通和关断之间实现了至1ns的的匹配。UCC27201A-Q1基于常见的UCC27200和UCC27201驱动器,但提供了一些增强功能。UCC27201A-Q1的HS引脚最高能够承受-18V电压,这使得其在电源噪声环境下的性能得到了改善。 由于在芯片上集成了一个自举二极管,因此无需采用外部分立式二极管。为高端和低端驱动器提供了欠压闭锁功能,如果驱动电压低于规定的门限,则强制输出为低电平。 UCC27201A-Q1具有TTL兼容阈值,并且采用带有散热焊盘的8引SOIC封装 特性 符合汽车应用要求 具有符合AEC-Q100的下列结果: 器件温度等级1:-40°C至140°C的环境运行温度范围 器件人体模型(HBM)分类等级1C 器件充电器件模型(CDM)分类等级C3 HS引脚具备-18V的负电压处理能力 可驱动两个采用高侧/低侧配置的N沟道金属氧化物半导体场效应晶...

      发表于 2020-03-30 11:19 ? 14次阅读
      UCC27201A-Q1 汽车类 120V 升压...

      UCC27519A-Q1 UCC27518A-Q...

      UCC27518A-Q1和UCC27519A-Q1单通道高速低侧栅极驱动器件有效地驱动金属氧化物半导体场效应应晶体管(MOSFET)和绝缘栅UCC27518A-Q1和UCC27519A-Q1能够灌,拉高峰值电流脉冲进入到电容负载,此电容负载提供了轨到轨驱动的双极型晶体管(IGBT)开关。借助于固有的大大减少击穿电流的设计能力以及极小传播延迟(典型值为17ns)。 UCC27518A-Q1和UCC27519A-Q1在VDD = 12V时提供4A拉电流和4A灌电流(对称驱动)峰值驱动电流功能。 /p> UCC27518A-Q1和UCC27519A-Q1在4.5V至18V的宽VDD范围以及-40°C到140°C的宽温度范围内运行.VDD引脚上的内部欠压闭锁(UVLO)电路保持VDD运行范围之外的输出低电平。能够运行在诸如低于5V的低电压电平上,连同同类产品中最佳的开关特性,使得此器件非常适合于驱动诸如GaN功率半导体器件等新上市UCC27519A-Q1可按需提供(只用于预览)。 UCC27518A-Q1和UCC27519A-Q1的输入引脚阀值基于CMOS逻辑电路,此逻辑电路的阀值电压是VDD电源电压的函数。通常情况下,输入高阀值(V IN-H )是V DD 的55%,而输入低阀值(V IN-L...

      发表于 2020-03-30 11:19 ? 0次阅读
      UCC27519A-Q1 UCC27518A-Q...

      UCC27712 具有 2.5A 峰值输出和稳健...

      UCC27712是一款620V高侧和低侧栅极驱动器,具有1.8A拉电流,2.8A灌电流能力,专用于驱动功率MOSFET或IGBT。 对于IGBT,建议的VDD工作电压为10V至20V,对于MOSFET,建议的VDD工作电压为17V。 UCC27712包含;すδ,在此情况下,当输入保持开路状态时,或当未满足最低输入脉宽规范时,输出保持低位;ニ退狼奔涔δ芸煞乐沽礁鍪涑鐾贝蚩。此外,该器件可接受的偏置电源范围宽幅达10V至22V,并且为VDD和HB偏置电源提供了UVLO;。 该器件采用TI先进的高压器件技术,具有强大的驱动器,拥有卓越的噪声和瞬态抗扰度,包括较大的输入负电压容差,高dV /dt容差,开关节点上较宽的负瞬态安全工作区(NTSOA),以及互锁。 该器件包含一个接地基准通道(LO)和一个悬空通道(HO),后者专用于自举电源或隔离式电源操作。该器件支持快速传播延迟和两个通道之间卓越的延迟匹配。在UCC27712上,每个通道均由其各自的输入引脚HI和LI控制。 特性 高侧和低侧配置 双输入,带输出互锁和150ns死区时间 在高达620V的电压下完全可正常工作,HB引脚上的绝对最高电压为700V VDD建议范围为10...

      发表于 2020-03-30 11:19 ? 6次阅读
      UCC27712 具有 2.5A 峰值输出和稳健...

      UCC27524A 具有负输入电压能力的双路 5...

      UCC27524A 器件是一款双通道、高速、低侧、栅极驱动器器件,此器件能够有效地驱动金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 和绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 电源开关。 UCC27524A 是 UCC2752x 系列的一个变化器件。 为了增加稳定耐用性,UCC27524A 在输入引脚上增加了直接处理 –5V 电压的能力。 UCC27524A 是一款双路非反相驱动器。 使用能够从内部大大降低击穿电流的设计,UCC27524A 能够将高达 5A 源电流和 5A 灌电流的高峰值电流脉传送到电容负载,此器件还具有轨到轨驱动能力和典型值为 13ns 的极小传播延迟。 除此之外,此驱动器特有两个通道间相匹配的内部传播延迟,这一特性使得此驱动器非常适合于诸如同步整流器等对于双栅极驱动有严格计时要求的应用。 这还使得两个通道可以并连,以有效地增加电流驱动能力或者使用一个单一输入信号驱动两个并联在一起的开关。 输入引脚阀值基于 TTL 和 CMOS 兼容低压逻辑,此逻辑是固定的并且与 VDD 电源电压无关。 高低阀值间的宽滞后提供了出色的抗扰度。 如需了解所有可用封装,请见数据表末尾的可订购产品附录。 All trademarks are the property of their respective own...

      发表于 2020-03-30 11:19 ? 0次阅读
      UCC27524A 具有负输入电压能力的双路 5...

      LM5109B-Q1 LM5109B-Q1 高压...

      LM5109B-Q1是一款具有成本效益的高电压栅极驱动器,设计用于驱动采用同步降压或半桥配置的高侧和低侧N沟道MOSFET。悬空高侧驱动器能够在高达90V的电源轨电压下工作。输出通过兼容TTL /CMOS的逻辑输入阈值独立控制。稳健可靠的电平转换技术同时拥有高运行速度和低功能耗特性,并且可提供从控制输入逻辑到高侧栅极驱动器的干净电平转换。该器件在低侧和高侧电源轨上提供了欠压锁定功能。该器件采用耐热增强型WSON(8 )封装。 特性 符合汽车类应用标准 具有符合AEC-Q100标准的下列结果 器件温度1级 器件人体放电模型(HBM)静电放电(ESD)分类等级1C 器件组件充电模型(CDM)ESD分类等级C4A 可驱动高侧和低侧N沟道金属氧化物半导体场效应应晶体管(MOSFET) 1A峰值输出电流(1.0A灌电流/1.0A拉电流)< /li> 独立的晶体管 - 晶体管逻辑电路/互补金属氧化物半导体(TTL /CMOS)兼容输入 自举电源电压高达108V(直流) 短暂传播时间(典型值为30ns) 可以15ns的上升和下降时间驱动1000pF负载 优异的传播延迟匹配(典型值为2ns) 耐热增强型晶圆级小外形无引线(WSON)-8封装 应用 推...

      发表于 2020-03-30 11:19 ? 2次阅读
      LM5109B-Q1 LM5109B-Q1 高压...

      UCC27712-Q1 具有互锁功能的汽车类 6...

      UCC27712-Q1是一款620V高侧和低侧栅极驱动器,具有1.8A拉电流,2.8A灌电流能力,专用于驱动功率MOSFET或IGBT。 对于IGBT,建议的VDD工作电压为10V至20V,对于功率MOSFET,建议的VDD工作电压为10V至17V。 UCC27712-Q1包含;すδ,在此情况下,当输入保持开路状态时,或未未满足最低输入脉宽规范时,输出保持低位;ニ退狼奔涔δ芸煞乐沽礁鍪涑鐾贝蚩。此外,该器件可接受的偏置电源范围宽幅达10V至22V,并且为VDD和HB偏置电源提供了UVLO;。 该器件采用TI先进的高压器件技术,具有强大的驱动器,拥有卓越的噪声和瞬态抗扰度,包括较大的输入负电压容差,高dV /dt容差,开关节点上较宽的负瞬态安全工作区(NTSOA),以及互锁。 < p>该器件包含一个接地基准通道(LO)和一个悬空通道(HO)后器专用于自举电源或隔离式电源操作。该器件具有快速传播延迟和两个通道之间卓越的延迟匹配。在UCC27712-Q1上,每个通道均由其各自的输入引脚HI和LI控制。 特性 符合面向汽车应用的AEC-Q100标准 器件HBM分类等级1C 器件CDM分类等级C4B 高侧和低侧配置 双输入,带输...

      发表于 2020-03-30 11:19 ? 0次阅读
      UCC27712-Q1 具有互锁功能的汽车类 6...

      SM74104 High Voltage Hal...

      SM74104高压栅极驱动器设计用于驱动采用同步降压配置的高侧和低侧N沟道MOSFET。该悬空高侧驱动器能够在高达100V的电源电压下工作。高侧和低侧栅极驱动器由单个输入控制。该器件采用自适应方式来控制每一个状态变化,从而避免发生击穿。除了自适应转换时序之外,还可以添加与外部设置电阻成比例的附加延时。该器件集成了一个高压二极管,用于对高侧栅极驱动自举电容进行充电。稳健可靠的电平转换器同时拥有高运行速度和低功耗特性,并且可提供从控制逻辑到高侧栅极驱动器的干净电平转换。该器件在低侧和高侧电源轨上提供了欠压锁定功能。 特性 可再生能源等级 可驱动高侧和低侧N沟道金属氧化物半导体场效应应晶体管( (MOSFET) 具有可编程附加延迟的自适应上升沿和下降沿 单输入控制 自举电源电压高达118VDC < li>短暂关断传播延迟(典型值为25ns) 可以15ns的上升和下降时间驱动1000pF负载 电源轨欠压锁定 典型应用 电流反馈推挽式电源转换器 高电压降压稳压器 有源钳位正激电源转换器 半桥和全桥转换器 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比?半桥驱动器 ? Number of Channels (#) Power S...

      发表于 2020-03-30 11:19 ? 0次阅读
      SM74104 High Voltage Hal...

      UCC27528-Q1 UCC27528-Q1 ...

      UCC27528-Q1器件是一款双通道,高速,低侧栅极驱动器,能够高效地驱动金属氧化物半导体场效应应晶体管(MOSFET)和绝缘栅极型功率管(IGBT)电源开关.UCC27528-Q1器件采用的设计方案可最大程度减少击穿电流,从而为电容负载提供高达5A的峰值拉/灌电流脉冲,同时提供轨到轨驱动能力以及超短的传播延迟(典型值为17ns)。除此之外,此驱动器特有两个通道间相匹配的内部传播延迟,这一特性使得此驱动器非常适合于诸如同步整流器等对于双栅极输入引脚阈值基于CMOS逻辑,此逻辑是VDD电源电压的一个函数。高低阈值间的宽滞后提供了出色的抗噪性。使能引脚基于TTL和COMS兼容逻辑,与VDD电源电压无关。 UCC27528-Q1是一款双通道同相驱动器。当输入引脚处于悬空状态时,UCC27528-Q1器件可UCC27528-Q1器件特有使能引脚(ENA和ENB),能够更好地控制此驱动器应用的运行。这些引脚内部上拉至VDD电源以实现高电平有效逻辑运行,并且可保持断开连接状态以实现标准运行。 特性 符合汽车应用要求 AEC-Q100器件温度等级1 工业标准引脚分配 两个独立的栅极驱动通道 5A峰值供源和吸收驱动电流 互补金属氧化...

      发表于 2020-03-30 11:19 ? 6次阅读
      UCC27528-Q1 UCC27528-Q1 ...

      UCC27211A 120-V Boot, 4-...

      UCC27211A器件驱动器基于广受欢迎的UCC27201 MOSFET驱动器;但该器件相比之下具有显着的性能提升。 峰值输出上拉和下拉电流已经被提高至4A拉电流和4A灌电流,并且上拉和下拉电阻已经被减小至0.9Ω,因此可以在MOSFET的米勒效应平台转换期间用尽可能小的开关损耗来驱动大功率MOSFET。输入结构能够直接处理-10 VDC,这提高了稳健耐用性,并且无需使用整流二极管即可实现与栅极驱动变压器的直接对接。此输入与电源电压无关,并且具有20V的最大额定值。&gt; UCC27211A的开关节点(HS引脚)最高可处理-18V电压,从而;じ卟嗤ǖ啦皇芗纳绺泻驮由⒌缛菟逃械母旱缪褂跋.UCC27210A(a CMOS输入)和UCC27211A(TTL输入)已经增加了落后特性,从而使得用于模拟或数字脉宽调制(PWM)控制器的接口具有增强的抗扰度。 低端和高端栅极驱动器是独立控制的,并且在彼此的接通和关断之间实现了至2ns的匹配。 由于在芯片上集成了一个额定电压为120V的自举二极管,因此无需采用外部分立式二极管。高侧和低侧驱动器均配有欠压锁定功能,可提供对称的导通和关断行为,并且能够在驱动电压低于指定阈值时将输出强制为低电平...

      发表于 2020-03-30 11:19 ? 25次阅读
      UCC27211A 120-V Boot, 4-...

      UCC27518A-Q1 4A/4A 单通道高速...

      UCC27518A-Q1和UCC27519A-Q1单通道高速低侧栅极驱动器件有效地驱动金属氧化物半导体场效应应晶体管(MOSFET)和绝缘栅UCC27518A-Q1和UCC27519A-Q1能够灌,拉高峰值电流脉冲进入到电容负载,此电容负载提供了轨到轨驱动的双极型晶体管(IGBT)开关。借助于固有的大大减少击穿电流的设计能力以及极小传播延迟(典型值为17ns)。 UCC27518A-Q1和UCC27519A-Q1在VDD = 12V时提供4A拉电流和4A灌电流(对称驱动)峰值驱动电流功能。 /p> UCC27518A-Q1和UCC27519A-Q1在4.5V至18V的宽VDD范围以及-40°C到140°C的宽温度范围内运行.VDD引脚上的内部欠压闭锁(UVLO)电路保持VDD运行范围之外的输出低电平。能够运行在诸如低于5V的低电压电平上,连同同类产品中最佳的开关特性,使得此器件非常适合于驱动诸如GaN功率半导体器件等新上市UCC27519A-Q1可按需提供(只用于预览)。 UCC27518A-Q1和UCC27519A-Q1的输入引脚阀值基于CMOS逻辑电路,此逻辑电路的阀值电压是VDD电源电压的函数。通常情况下,输入高阀值(V IN-H )是V DD 的55%,而输入低阀值(V IN-L...

      发表于 2020-03-30 11:19 ? 10次阅读
      UCC27518A-Q1 4A/4A 单通道高速...

      UCC27211A-Q1 UCC27211A-Q...

      UCC27211A-Q1器件驱动器基于广受欢迎的UCC27201 MOSFET驱动器;但该器件相比之下具有显着的性能提升。 < p>峰值输出上拉和下拉电流已经被提高至4A拉电流和4A灌电流,并且上拉和下拉电阻已经被减小至0.9Ω,因此可以在MOSFET的米勒效应平台转换期间用尽可能小的开关损耗来驱动大功率MOSFET。输入结构能够直接处理-10 VDC,这提高了稳健耐用性,并且无需使用整流二极管即可实现与栅极驱动变压器的直接对接。此输入与电源电压无关,并且具有20V的最大额定值。 UCC27211A-Q1的开关节点(HS引脚)最高可处理-18V电压,从而;じ卟嗤ǖ啦皇芗纳绺泻驮由⒌缛菟逃械母旱缪褂跋.UCC27211A-Q1已经增加了落后特性,从而使得用于模拟或数字脉宽调制(PWM)控制器的接口具有增强的抗扰度。 低端和高端栅极驱动器独立控制的,并在彼此的接通和关断之间实现了至2ns的匹配。 由于在芯片上集成了一个额定电压为120V的自举二极管,因此无需采用外部分立式二极管。高侧和低侧驱动器均配有欠压锁定功能,可提供对称的导通和关断行为,并且能够在驱动电压低于指定阈值时将输出强制为低电平。 UCC27211A-Q1器件采用8引脚SO-...

      发表于 2020-03-30 11:19 ? 20次阅读
      UCC27211A-Q1 UCC27211A-Q...

      TPS51604-Q1 用于高频 CPU 内核功...

      TPS51604-Q1驱动器针对高频CPU V CORE 应用进行了优化。具有精简死区时间驱动和自动零交叉等高级特性,可用于在整个负载范围内优化效率。 SKIP 引脚提供立即CCM操作以支持输出电压的受控制理。此外,TPS51604-Q1还支持两种低功耗模式。借助于三态PWM输入,静态电流可减少至130μA,并支持立即响应。当跳过保持在三态时,电流可减少至8μA。此驱动器与适当的德州仪器(TI)控制器配对使用,能够成为出色的高性能电源系统。 TPS51604-Q1器件采用节省空间的耐热增强型8引脚2mm x 2mm WSON封装,工作温度范围为-40°C至125°C。 特性 符合汽车应用要求 具有符合AEC-Q100的下列结果: 器件温度等级1:-40°C至125°C 器件人体模型静电放电(ESD)分类等级H2 器件的充电器件模型ESD分类等级C3B 针对已优化连续传导模式(CCM)的精简死区时间驱动电路 针对已优化断续传导模式(DCM)效率的自动零交叉检测 针对已优化轻负载效率的多个低功耗模式 为了实现高效运行的经优化信号路径延迟 针对超级本(超极)FET的集成BST开关驱动强度 针对5V FET驱动而进行了优化 转换输入电压范围(V...

      发表于 2020-03-30 11:19 ? 22次阅读
      TPS51604-Q1 用于高频 CPU 内核功...

      UCC27532-Q1 UCC27532-Q1 ...

      UCC27532-Q1是一款单通道高速栅极驱动器,此驱动器可借助于高达2.5A的源电流和5A的灌电流(非对称驱动)峰值电流来有效驱动金属氧化物半导体场效应应晶体管(MOSFET)和IGBT电源开关。非对称驱动中的强劲灌电流能力提升了抗寄生米勒接通效应的能力.UCC27532-Q1器件还特有一个分离输出配置,在此配置中栅极驱动电流从OUTH引脚拉出并从OUTL引脚被灌入。这个引脚安排使得用户能够分别在OUTH和OUTL引脚采用独立的接通和关闭电阻器,并且能很轻易地控制开关的转换率。 此驱动器具有轨到轨驱动功能以及17ns(典型值)的极小传播延迟。 UCC27532-Q1器件具有CMOS输入阀值,此阀值在VDD低于或等于18V时介于比VDD高55%的电压值与比VDD低45%的电压值范围内。当VDD高于18V时,输入阀值保持在其最大水平上。 此驱动器具有一个EN引脚,此引脚有一个固定的TTL兼容阀值.EN被内部上拉;将EN下拉为低电平禁用驱动器,而将其保持打开可提供正常运行。EN引脚可被用作一个额外输入,其性能与IN引脚一样。 将驱动器的输入引脚保持开状态将把输出保持为低电平。此驱动器的逻辑运行方式显示在,,和中。 VDD引脚...

      发表于 2020-03-30 11:19 ? 12次阅读
      UCC27532-Q1 UCC27532-Q1 ...

      UCC27516 4A/4A Single Ch...

      UCC27516和UCC27517单通道高速低侧栅极驱动器器件可有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和绝缘栅双极型晶体管(IGBT)电源开关.UCC27516和UCC27517采用的设计方案可最大程度减少击穿电流,从而为电容负载提供较高的峰值拉/灌电流脉冲,同时提供轨到轨驱动能力以及超短的传播延迟(当前VDD = 12V时,UCC27516和UCC27517可提供峰值为4A的灌/拉(对称驱动)电流驱动能力。 UCC27516和UCC27517具有4.5V至18V的宽VDD范围,以及-40°C至140°C的宽温度范围.VDD引脚上的内部欠压闭锁(UVLO)电路可以超出VDD运行范围时使输出保持低电平。此器件能够在低电压(例如低于5V)下运行,并且拥有同类产品中较好的开关特性,因此非常适用于驱动诸如GaN功率半导体器件等新上市的宽带隙电源开关器件。 UCC27516和UCC27517特有双输入设计,同一器件可灵活实现反相(IN-引脚)和非反相(IN +引脚)配置.IN +引脚和IN-引脚中的任何一个都可用于控制此驱动器输出的状态。未使用的输入引脚可被用于启用和禁用功能。出于安全考虑,输入引脚上的内部上拉和下拉电阻器在输入引脚处于悬空状态时,确保...

      发表于 2020-03-30 11:19 ? 8次阅读
      UCC27516 4A/4A Single Ch...

      UCC27324-Q1 汽车类双 4A 峰值高速...

      UCC27324-Q1高速双MOSFET驱动器可为容性负载提供大峰值电流。采用本质上最小化直通电流的设计,这些驱动器在MOSFET开关转换期间在Miller平台区域提供最需要的4A电流。独特的双极和MOSFET混合输出级并联,可在低电源电压下实现高效的电流源和灌电流。 该器件采用标准SOIC-8(D)封装。 特性 符合汽车应用要求 行业标准引脚 高电流驱动能力±4位于Miller Plateau Region的 即使在低电源电压下也能实现高效恒流源 TTL和CMOS兼容输入独立于电源电压 典型上升时间为20 ns,典型下降时间为15 ns,负载为1.8 nF 典型传播延迟时间为25 ns,输入下降,输入时间为35 ns上升 电源电压为4 V至15 V 供电电流为0.3 mA 双输出可以并联以获得更高的驱动电流 额定值从T J = -40°C至125°C TrueDrive输出架构使用并联双极晶体管和CMOS晶体管 参数 与其它产品相比?低侧驱动器 ? Number of Channels (#) Power Switch Peak Output Current (A) Input VCC (Min) (V) Input VCC (Max) (V) Rise Time (ns) Fall Time (ns) Prop Delay (ns) Input T...

      发表于 2020-03-30 11:19 ? 4次阅读
      UCC27324-Q1 汽车类双 4A 峰值高速...

      LM5100C 1A 高电压高侧和低侧闸极驱动器

      LM5100A /B /C和LM5101A /B /C高压栅极驱动器设计用于驱动高侧和低侧N. - 同步降压或半桥配置的通道MOSFET。浮动高侧驱动器能够在高达100 V的电源电压下工作.A版本提供完整的3-A栅极驱动,而B和C版本分别提供2 A和1 A.输出由CMOS输入阈值(LM5100A /B /C)或TTL输入阈值(LM5101A /B /C)独立控制。 提供集成高压二极管为高端栅极充电驱动自举电容。稳健的电平转换器以高速运行,同时消耗低功率并提供从控制逻辑到高端栅极驱动器的干净电平转换。低侧和高侧电源轨均提供欠压锁定。这些器件采用标准SOIC-8引脚,SO PowerPAD-8引脚和WSON-10引脚封装。 LM5100C和LM5101C也采用MSOP-PowerPAD-8封装。 LM5101A还提供WSON-8引脚封装。 特性 驱动高侧和低侧N沟道MOSFET ...... 独立高低 - 驱动器逻辑输入 自举电源电压高达118 V DC 快速传播时间(典型值为25 ns) 驱动1000-pF负载,8- ns上升和下降时间 优秀的传播延迟匹配(3 ns 典型值) 电源轨欠压锁定 低功耗< /li> 引脚与HIP2100 /HIP2101兼容 参数 与其它产品相比?半桥驱动器 ? Number of Ch...

      发表于 2020-03-30 11:19 ? 39次阅读
      LM5100C 1A 高电压高侧和低侧闸极驱动器

      TPS2811-Q1 具有内部稳压器的汽车类反向...

      TPS2811双通道高速MOSFET驱动器能够为高容性负载提供2 A的峰值电流。这种性能是通过一种设计实现的,该设计本身可以最大限度地减少直通电流,并且比竞争产品消耗的电源电流低一个数量级。 TPS2811驱动器包括一个稳压器,允许在14 V和14 V之间的电源输入工作。 40 V.稳压器输出可以为其他电路供电,前提是功耗不超过封装限制。当不需要稳压器时,REG_IN和REG_OUT可以保持断开状态,或者两者都可以连接到V CC 或GND。 TPS2811驱动器采用8引脚TSSOP封装并在-40°C至125°C的环境温度范围内工作。 特性 符合汽车应用要求 行业标准驱动程序更换 25-ns Max Rise /下降时间和40-ns Max 传播延迟,1-nF负载,V CC = 14 V 2-A峰值输出电流,V CC < /sub> = 14 V 输入电压高或低的5μA电源电流 4 V至14 V电源电压范围;内部调节器将范围扩展至40 V -40°C至125°C环境温度工作范围 参数 与其它产品相比?低侧驱动器 ? Number of Channels (#) Power Switch Peak Output Current (A) Input VCC (Min) (V) Input VCC (Max) (V) Rise Tim...

      发表于 2020-03-30 11:19 ? 2次阅读
      TPS2811-Q1 具有内部稳压器的汽车类反向...

      UCC27511 4A/8A 单通道高速低侧闸极...

      UCC27511和UCC27512单通道高速低侧栅极驱动器件可有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和绝缘栅双极型晶体管(IGBT)电源开关.UCC27511和UCC27512采用的设计方案可最大程度减少击穿电流,从而为电容负载提供较高的峰值拉/灌电流脉冲,同时提供轨到轨驱动能力以及超短的传播延迟(典型值为13ns)。 UCC27511特有双输入设计,同一器件可灵活实现反相(IN-引脚)和非反相(IN +引脚)配置.IN +引脚和IN-引脚均可用于控制驱动器输出的状态。未使用的输入引脚可用于启用和禁用功能。出于安全考虑,输入引脚上的内部上拉和下拉电阻器在输入引脚处于悬空状态时,确保 UCC27 511器件的输入引脚阈值基于与TTL和COMS兼容的低电压逻辑电路,此逻辑电路是固定的且与V DD 电源电压无关。高低阈值间的宽滞后提供了出色的抗扰度。 UCC27511和UCC27512提供4A拉电流,8A灌电流(非对称驱动)峰值驱动电流能力。非对称驱动中的强劲灌电流能力提升了抗寄生,米勒接通效应的能力.UCC27511器件还具有一个独特的分离输出配置,其中的栅极驱动电流通过OUTH引脚拉出,通过OUTL引脚灌入。这种独特的引脚排列使...

      发表于 2020-03-30 11:19 ? 17次阅读
      UCC27511 4A/8A 单通道高速低侧闸极...

      UCC27517 4A/4A 单通道高速低侧闸极...

      UCC27516和UCC27517单通道高速低侧栅极驱动器器件可有效驱动金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)和绝缘栅双极型晶体管(IGBT)电源开关.UCC27516和UCC27517采用的设计方案可最大程度减少击穿电流,从而为电容负载提供较高的峰值拉/灌电流脉冲,同时提供轨到轨驱动能力以及超短的传播延迟(当前VDD = 12V时,UCC27516和UCC27517可提供峰值为4A的灌/拉(对称驱动)电流驱动能力。 UCC27516和UCC27517具有4.5V至18V的宽VDD范围,以及-40°C至140°C的宽温度范围.VDD引脚上的内部欠压闭锁(UVLO)电路可以超出VDD运行范围时使输出保持低电平。此器件能够在低电压(例如低于5V)下运行,并且拥有同类产品中较好的开关特性,因此非常适用于驱动诸如GaN功率半导体器件等新上市的宽带隙电源开关器件。 UCC27516和UCC27517特有双输入设计,同一器件可灵活实现反相(IN-引脚)和非反相(IN +引脚)配置.IN +引脚和IN-引脚中的任何一个都可用于控制此驱动器输出的状态。未使用的输入引脚可被用于启用和禁用功能。出于安全考虑,输入引脚上的内部上拉和下拉电阻器在输入引脚处于悬空状态时,确保...

      发表于 2020-03-30 11:19 ? 14次阅读
      UCC27517 4A/4A 单通道高速低侧闸极...

      UCC27200-Q1 汽车类 120V 升压 ...

      UCC2720x-Q1系列高频N沟道MOSFET驱动器包括一个120V自举二极管和独立的高侧和低侧驱动器输入以实现最大的控制灵活这允许在半桥,全桥,双开关正向和有源钳位正激转换器中进行N沟道MOSFET控制。低侧和高侧栅极驱动器可独立控制,并在相互之间的开启和关断之间匹配1 ns。 片内自举二极管消除了外部分立二极管。为高侧驱动器和低侧驱动器提供欠压锁定,如果驱动器电压低于指定阈值,则强制输出为低电平。 提供两种版本的UCC2720x-Q1 - UCC27200-Q1具有高噪声免疫CMOS输入阈值,UCC27201-Q1具有TTL兼容阈值。 两款器件均采用8引脚SO PowerPAD(DDA)封装。对于所有可用封装,请参见数据手册末尾的可订购附录。 特性 符合汽车应用要求 AEC-Q100符合以下结果: 设备温度等级1: -40°C至125°C环境工作温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM ESD分类等级C5 驱动两个高侧和低侧配置的N沟道MOSFET 最大启动电压:120 V 最大V DD < /sub>电压:20 V 片内0.65 V VF,0.6ΩRD自举二极管 大于1 MHz的工作 20- ns传播延迟时间 3-A漏极,3A源输出电流 8-ns上升和...

      发表于 2020-03-30 11:19 ? 23次阅读
      UCC27200-Q1 汽车类 120V 升压 ...

      UCC27538 栅极驱动器

      UCC2753x单通道高速栅极驱动器可有效地驱动MOSFET和IGBT电源开关.UCC2753x器件采用一种通过不对称驱动(分离输出)提供高达2.5A和5A灌电流的设计,同时结合了支持负断偏置电压,轨道轨道驱动功能,极小传播延迟(通常为17ns)的功能,是MOSFET和IGBT电源开关的理想解决方案.UCC2753x系列器件也可支持使能,双输入以及反相和同相输入功能。隔离输出与强大的不对称驱动提高了器件对寄生米勒效应的抗扰性,并有助于减少地的抖动。 输入引脚保持断开状态将使驱动器输出保持低电平。驱动器的逻辑行为显示在应用图,时序图和输入与输出逻辑真值表中。 VDD引脚上的内部电路提供一个欠压锁定功能,此功能在VDD电源电压处于工作范围内之前使用输出保持低电平。 特性 低成本栅极驱动器(为FET和IGBT的驱动提供最佳解决方案) 分立式晶体管(1800pF负载时的典型值分别为15ns和7ns) 欠压锁定(UVLO) 被用作高侧或低侧驱动器(如果采用适当的偏)置和信号隔离设计) 低成本,节省空间的5引脚或6引脚DBV(SOT-23)封装选项 UCC27536和UCC27537与TPS2828和TPS2829之间引脚对引脚兼容 工作温度范围:...

      发表于 2020-03-30 11:19 ? 12次阅读
      UCC27538 栅极驱动器

      UCC27517A-Q1 具有 5V 负输入电压...

      UCC27517A-Q1单通道高速低侧栅极驱动器件有效地驱动金属氧化物半导体场效应应晶体管(MOSFET)和绝缘栅双极型晶体管UCC27517A-Q1能够灌,拉高峰值电流脉冲进入到电容负载值为13ns)。 UCC27517A-Q1器件在输入上处理-5V电压。 当V DD = 12V时,UCC27517A-Q1可提供峰值为4A的灌/拉(对称驱动)电流驱动能力。 UCC27517A-Q1在4.5V至18V的宽V DD 范围以及-40°C至140° C的宽温度范围内运行.V DD 引脚上的内部欠压锁定(UVLO)电路可在V DD 超出运行范围时使输出保持低电平。此器件能够在低电压(例如低于5V)下运行,并且拥有同类产品中最佳的开关特性,因此非常适用于驱动诸的GaN功率半导体器件等新上市的宽带隙电源开关器件。 特性 符合汽车应用要求 具有符合AEC-Q100标准的下列结果: 符合汽车应用要求的器件温度1级:-40°C至125°C的环境运行温度范围 器件人体放电模式(HBM)静电放电(ESD)分类等级2 器件组件充电模式(CDM)ESD分类等级C6 低成本栅极驱动器件提供NPN和PNP离散解决方案的高品质替代产品 4A峰值拉电流和灌电流对称驱动 能够输入上处理负...

      发表于 2020-03-30 11:19 ? 2次阅读
      UCC27517A-Q1 具有 5V 负输入电压...

      UCC27211 120V 升压 4A 峰值电流...

      UCC27210和UCC27211驱动器是基于广受欢迎的UCC27200和UCC27201 MOSFET驱动器,但性能得到了显着提升。峰值输出上拉和下拉电流已经被提高至4A拉电流和4A灌电流,并且上拉和下拉电阻已经被减小至0.9Ω,因此可以在MOSFET的米勒效应平台转换期间用尽可能小的开关损耗来驱动大功率MOSFET。现在,输入结构能够直接处理-10 VDC,这提高了稳健耐用性,并且无需使用整流二极管即可实现与栅极驱动变压器的直接对接。这些输入与电源电压无关,并且具有20V的最大额定值。 UCC2721x的开关节点(HS引脚)最高可处理-18V电压,从而;じ卟嗤ǖ啦皇芗纳绺泻驮由⒌缛菟逃械母旱缪褂跋.UCC27210(a CMOS输入)和UCC27211( TTL输入)已经增加了滞后特性,从而使得到模拟或数字脉宽调制(PWM)控制器接口的抗扰度得到了增强。 低侧和高侧栅极驱动器是独立控制的,并在彼此的接通和关断之间实现了2ns的延迟匹配。 由于在芯片上集成了一个额定电压为120V的自举二极管,因此无需采用外部分立式二极管。高侧和低侧驱动器均配有欠压锁定功能,可提供对称的导通和关断行为,并且能够在驱动电压低于指定阈值时将输出强制为低...

      发表于 2020-03-30 11:19 ? 42次阅读
      UCC27211 120V 升压 4A 峰值电流...

      UCC27710 具有互锁功能的 620V 0....

      UCC27710是一款620V高侧和低侧栅极驱动器,具有0.5A拉电流,1.0A灌电流能力,专用于驱动功率MOSFET或IGBT。 对于IGBT,建议的VDD工作电压为10V至20V,对于MOSFET,建议的VDD工作电压为17V。 UCC27710包含;ぬ匦,在此情况下,当输入保持开路状态时,或当未满足最低输入脉宽规范时,输出保持低位;ニ退狼奔涔δ芸煞乐沽礁鍪涑鐾贝蚩。此外,该器件可接受的偏置电源范围宽幅达10V至20V,并且为VDD和HB偏置电源提供了UVLO;。 该器件采用TI先进的高压器件技术,具有强大的驱动器,拥有卓越的噪声和瞬态抗扰度,包括较大的输入负电压容差,高dV /dt容差,开关节点上较宽的负瞬态安全工作区(NTSOA),以及互锁。 该器件包含一个接地基准通道(LO)和一个悬空通道(HO),后者专用于自电源或隔离式电源操作。该器件具有快速传播延迟特性并可在两个通道之间实现卓越的延迟匹配。在UCC27710上,每个通道均由其各自的输入引脚HI和LI控制。 特性 高侧和低侧配置 双输入,带输出互锁和150ns死区时间 在高达620V的电压下完全可正常工作,HB引脚上的绝对最高电压为700V VDD建...

      发表于 2020-03-30 11:19 ? 37次阅读
      UCC27710 具有互锁功能的 620V 0....

      UCC27533 栅极驱动器

      UCC2753x单通道高速栅极驱动器可有效地驱动MOSFET和IGBT电源开关.UCC2753x器件采用一种通过不对称驱动(分离输出)提供高达2.5A和5A灌电流的设计,同时结合了支持负断偏置电压,轨道轨道驱动功能,极小传播延迟(通常为17ns)的功能,是MOSFET和IGBT电源开关的理想解决方案.UCC2753x系列器件也可支持使能,双输入以及反相和同相输入功能。隔离输出与强大的不对称驱动提高了器件对寄生米勒效应的抗扰性,并有助于减少地的抖动。 输入引脚保持断开状态将使驱动器输出保持低电平。驱动器的逻辑行为显示在应用图,时序图和输入与输出逻辑真值表中。 VDD引脚上的内部电路提供一个欠压锁定功能,此功能在VDD电源电压处于工作范围内之前使用输出保持低电平。 特性 低成本栅极驱动器(为FET和IGBT的驱动提供最佳解决方案) 分立式晶体管(1800pF负载时的典型值分别为15ns和7ns) 欠压锁定(UVLO) 被用作高侧或低侧驱动器(如果采用适当的偏)置和信号隔离设计) 低成本,节省空间的5引脚或6引脚DBV(SOT-23)封装选项 UCC27536和UCC27537与TPS2828和TPS2829之间引脚对引脚兼容 工作温度范围:...

      发表于 2020-03-30 11:19 ? 37次阅读
      UCC27533 栅极驱动器

      UCC27531 2.5A、5A、40VMAX ...

      UCC2753x单通道高速栅极驱动器可有效地驱动MOSFET和IGBT电源开关.UCC2753x器件采用一种通过不对称驱动(分离输出)提供高达2.5A和5A灌电流的设计,同时结合了支持负断偏置电压,轨道轨道驱动功能,极小传播延迟(通常为17ns)的功能,是MOSFET和IGBT电源开关的理想解决方案.UCC2753x系列器件也可支持使能,双输入以及反相和同相输入功能。隔离输出与强大的不对称驱动提高了器件对寄生米勒效应的抗扰性,并有助于减少地的抖动。 输入引脚保持断开状态将使驱动器输出保持低电平。驱动器的逻辑行为显示在应用图,时序图和输入与输出逻辑真值表中。 VDD引脚上的内部电路提供一个欠压锁定功能,此功能在VDD电源电压处于工作范围内之前使用输出保持低电平。 特性 低成本栅极驱动器(为FET和IGBT的驱动提供最佳解决方案) 分立式晶体管(1800pF负载时的典型值分别为15ns和7ns) 欠压锁定(UVLO) 被用作高侧或低侧驱动器(如果采用适当的偏)置和信号隔离设计) 低成本,节省空间的5引脚或6引脚DBV(SOT-23)封装选项 UCC27536和UCC27537与TPS2828和TPS2829之间引脚对引脚兼容 工作温度范围:...

      发表于 2020-03-30 11:19 ? 14次阅读
      UCC27531 2.5A、5A、40VMAX ...

      TPS51604 用于高频 CPU 内核功率应用...

      TPS51604驱动器针对高频CPU V CORE 应用进行了优化。具有降低死区时间驱动和自动零交越等 SKIP 引脚提供CCM操作选项,以支持输出电压的受控制理。此外,TPS51604支持两种低功耗模式。借助于脉宽调制(PWM)输入三态,静态电流被减少至130μA,并支持立即响应。当 SKIP 被保持在三态时,电流被减少至8μA(恢复切换通常需要20μs)。此驱动器与合适的德州仪器(TI)控制器配对使用,能够成为出色的高性能电源系统。 TPS51604器件采用节省空间的耐热增强型8引脚2mm x 2mm WSON封装,工作温度范围为-40°C至105°C。 特性 针对已优化连续传导模式(CCM)的精简死区时间驱动电路 针对已优化断续传导模式(DCM)效率的自动零交叉检测 针对已优化轻负载效率的多个低功耗模式 为了实现高效运行的经优化信号路径延迟 针对超级本(超极本)FET的集成BST开关驱动强度 针对5V FET驱动而进行了优化 转换输入电压范围(V IN < /sub>):4.5V至28V 2mm×2mm 8引脚WSON散热垫封装 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比?半桥驱动器 ? Number of Channels (#) ...

      发表于 2020-03-30 11:19 ? 26次阅读
      TPS51604 用于高频 CPU 内核功率应用...