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      电子资讯网 > EDA/IC设计 > 正文

      电子资讯协办-2018“青山湖杯”微纳智造(集成电路)创新挑战赛决赛开战在即,决赛12强项目名单正式公布

      2020年11月25日 17:48 ? 次阅读

      2020年11月25日,中国杭州—由浙江杭州城西科创产业集聚区管委会、杭州市临安区人民政府主办,杭州青山湖科技城管委会、摩尔精英共同承办、电子资讯网协办的2018“青山湖杯”微纳智造创新挑战赛目前已完成项目征集、初赛及复赛工作,从全国范围内征选的200多个项目中最终有12个项目入选决赛。本次大赛计划于12月26日在杭州临安万豪酒店进行决赛暨颁奖典礼。

      2018“青山湖杯”微纳智造创新挑战赛旨在努力吸引上游微纳器件设计与下游应用方案企业,逐步在青山湖科技城形成百亿级微纳电子元器件、千亿级软硬件终端产品企业集群。历经两个多月,2018“青山湖杯”微纳智造创新挑战赛的线上提交项目已超过200个,涵盖了微纳器件设计、制造及相关应用领域。截止12月16日,大赛主办方完成了决赛入围名单的评审工作。经过主办方和专家们的共同评审讨论,最终决定了入围2018“青山湖杯”微纳智造创新挑战赛决赛的项目名单:

      1.5G通讯射频芯片项目

      2.英多半导体检测项目

      3.新一代功率器件——联栅功率管

      4.云晉智能工業4.0智能存儲芯片

      5.无线无源生物传感器

      6.ILLUM深度学习人工智能芯片

      7.基于双目视觉的3D测量系统

      8.氮化镓第三代半导体器件与驱动

      9.面向终端的低功耗人工智能芯片

      10.高功率半导体激光芯片

      11.基于机器视觉的超高精度激光差分干涉原子力检测系统

      12.高算力低功耗芯片与系统

      *? 排名不分先后

      12月26日,2018“青山湖杯”微纳智造创新挑战赛决赛暨颁奖典礼将于杭州临安万豪酒店盛大举行,届时将有产业资深人士、投融资机构、集成电路企业、行业媒体、青山湖科技城等近200位嘉宾出席本次活动,并参与项目路演、虚拟出资及颁奖典礼等活动环节,共同见证本次大赛的百万大奖得主产生。

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      关于青山湖科技城

      浙江杭州青山湖科技城位于杭州西湖以西二十公里作为浙江省委省政府着力打造的科研机构集聚区与创新基地,以科技创新、技术产业化为目标,致力打造国际化的创新平台和产业化基地。青山湖微纳智造小镇,与浙江大学、之江实验室、阿里达摩院相邻,是浙江打造智能传感器创新中心、省级集成电路产业基地等微纳智造产业集群的综合载体,承:贾莘⒄故志煤诵募际醯闹厝,致力于电子信息与人工智能领域的商用核心技术产业化。自成立起半年内累计引进26个总投资79.2亿元的微纳项目、13位“千人计划”专家,成为杭州市集成电路专项政策发布地!

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      发表于 2020-11-25 14:02 ? 931次阅读
      2018年未来科学大奖的数学与计算机科学奖获得者...

      中国半导体设备严重依赖进口 测试设备有望实现突破

      受益于国内半导体产业逆周期投资和国家战略支持,中国大陆设备市场有望在全球产业增速趋缓的背景下逆势保持...

      发表于 2020-11-25 16:13 ? 946次阅读
      中国半导体设备严重依赖进口 测试设备有望实现突破

      5亿元淄博集成电路产业投资基金助力矽邦半导体公司...

      近日,南京矽邦半导体有限公司董事长王刚等人到访淄博高新区就淄博集成电路产业链项目洽谈合作事宜。高新区...

      发表于 2020-11-25 16:01 ? 1350次阅读
      5亿元淄博集成电路产业投资基金助力矽邦半导体公司...

      厦门火炬高新区力争打造集成电路千亿产业链 建设成...

      自成立27年以来,围绕新产业、新技术,厦门火炬高新区积极布局计算机与通讯设备、集成电路、LED、软件...

      发表于 2020-11-25 15:54 ? 836次阅读
      厦门火炬高新区力争打造集成电路千亿产业链 建设成...

      上;半导体项目桩基工程基本完成 计划2020...

      近日,上海市委副书记、市长应勇调研上海市重大投资项目建设,并考察了位于临港重装备产业区的上;半导...

      发表于 2020-11-25 15:48 ? 881次阅读
      上;半导体项目桩基工程基本完成 计划2020...

      无锡集成电路产业谱写新时代故事

      今年是江苏无锡集成电路产业发展不平凡的一年,华虹集成电路项目、天津中环项目、海力士二工厂项目,总投资...

      发表于 2020-11-25 15:11 ? 1050次阅读
      无锡集成电路产业谱写新时代故事

      国产超分辨力光刻机到底牛不牛?

      这台SP光刻机与ASML光刻机对比怎么样呢?举个不恰当的例子吧,这就像是初期的枪械与最厉害的弓箭的对...

      发表于 2020-11-25 14:40 ? 1135次阅读
      国产超分辨力光刻机到底牛不牛?

      南京集成电路产业迅速发展,不少设计企业落户南京

      近年来,南京集成电路产业迅速发展,不少设计企业落户南京。被众多企业看好的是南京的人才优势。东南大学、...

      发表于 2020-11-25 13:54 ? 662次阅读
      南京集成电路产业迅速发展,不少设计企业落户南京

      上海与紫光集团签署战略合作框架协议

      11月28日上午,上海集成电路设计产业园正式揭牌,上海市政府与紫光集团有限公司签署战略合作框架协议。

      发表于 2020-11-25 09:46 ? 416次阅读
      上海与紫光集团签署战略合作框架协议

      LM45 ±2°C 模拟输出温度传感器

      LM45系列是精密集成电路温度传感器,其输出电压与摄氏(摄氏)温度成线性比例。 LM45不需要任何外部校准或微调,即可在室温下提供±2°C的精度,在整个-20至+ 100°C的温度范围内提供±3°C的精度。通过晶圆级的修整和校准确保低成本。 LM45的低输出阻抗,线性输出和精确的固有校准使得与读出或控制电路的接口特别容易。它可以与单个电源一起使用,也可以与正负电源一起使用。由于它的电源消耗仅为120μA,因此自然发热非常低,静止空气中的自热温度低于0.2°C。 LM45的额定工作温度范围为-20°至+ 100°C。 特性 直接以摄氏度(摄氏度)校准 线性+ 10.0 mV /°C比例因子 < li>±3°C精度保证 额定为-20°至+ 100°C范围 适用于远程应用 由于晶圆造成的低成本-Llevel Trimming 工作电压范围为4.0V至10V 电流消耗小于120μ 低自热,静止空气中为0.20°C 非线性仅±0.8°C最大温度 低阻抗输出,20 mA...

      发表于 2020-11-25 16:30 ? 80次阅读
      LM45 ±2°C 模拟输出温度传感器

      LM62 ±2°C 模拟输出温度传感器

      LM62是一款精密集成电路温度传感器,可在+ 3.0V单电压下工作,检测0°C至+ 90°C温度范围供应。 LM62的输出电压与摄氏(摄氏)温度(+15.6 mV /°C)成线性比例,并具有+480 mV的直流偏移。偏移允许读取温度低至0°C而无需负电源。在0°C至+ 90°C的温度范围内,LM62的标称输出电压范围为+480 mV至+1884 mV。 LM62经过校准,可在室温和+ 2.5°C /-2.0°C范围内提供±2.0°C的精度,温度范围为0°C至+ 90°C。 LM62的线性输出,+ 480 mV偏移和工厂校准简化了在需要读取温度低至0°C的单电源环境中所需的外部电路。由于LM62的静态电流小于130μA,因此在静止空气中自热仅限于0.2°C。 LM62的关断功能是固有的,因为其固有的低功耗允许它直接从许多逻辑门的输出供电。 特性 校准线性比例因子+15.6 mV /°C 额定0°C至+ 90°C适用于远程应用的3.0V电压范围   关键规格 25°C±2.0或±3.0°时的精度C(最大) ...

      发表于 2020-11-25 15:48 ? 12次阅读
      LM62 ±2°C 模拟输出温度传感器

      LM235 模拟输出温度传感器,军用级,采用气密...

      LM135系列是精密,易于校准的集成电路温度传感器。作为双端齐纳二极管,LM135的击穿电压与10 mV /°K时的绝对温度成正比。该器件的动态阻抗小于1Ω,工作电流范围为400μA至5 mA,性能几乎没有变化。在25°C下校准时,LM135在100°C温度范围内的误差通常小于1°C。与其他传感器不同,LM135具有线性输出。 LM135的应用包括几乎任何类型的温度检测,温度范围为-55°C至150°C。低阻抗和线性输出使得与读出或控制电路的接口特别容易。 LM135工作温度范围为-55°C至150°C,而LM235工作温度范围为?? 40° C至125°C的温度范围。 LM335的工作温度范围为-40°C至100°C。 LMx35器件采用密封TO晶体管封装,而LM335也采用塑料封装 特性 直接校准至开尔文温度   1°C初始准确度 工作电流范围为400μA至5 mA 小于1Ω动态阻抗 轻松校准 宽工作温度范围 200 °C超范围 低成本 ...

      发表于 2020-11-25 14:35 ? 24次阅读
      LM235 模拟输出温度传感器,军用级,采用气密...

      LOG2112 片上电压参考为 2.5V 的精密...

      LOG112和LOG2112是多功能集成电路,可计算输入电流相对于参考电流的对数或对数比。 LOG112和LOG2112的V LOGOUT 被调整为每十倍输入电流0.5V,确保在宽动态范围的输入信号上具有高精度。 LOG112和LOG2112具有2.5V基准电压源,可用于使用外部电阻产生精密电流基准。 低直流偏移电压和温度漂移可在指定温度范围内精确测量低电平信号。 °C至+ 75°C。 特性 易于使用的完整功能 输出缩放放大器 片上2.5V电压参考 高精度:0.2%FSO超过5个十年 宽输入动态范围: 7.5十年,100pA至3.5mA 低电流电流:1.75mA 宽电源范围:±4.5V至±18V 封装:SO-14(窄)和SO-16 应用 日志,日志比率: 通信,分析,医疗,工业,测试,一般仪器 光电信号压缩放大器 模拟信号压缩模拟前后的模拟信号压缩-DIGITAL(A /D)转换器 吸光度测量 ...

      发表于 2020-11-25 17:29 ? 31次阅读
      LOG2112 片上电压参考为 2.5V 的精密...

      LMX2485Q-Q1 用于射频个人通信的汽车类...

      LMX2485Q-Q1是一款带有辅助性整数N PLL的低功耗,高性能Δ-Σ分数N PLL。该器件采用TI高级工艺制造。 凭借Δ-Σ架构,低偏移频率下的分数杂波被推至回路带宽之外的更高频率。将杂波和相位噪声能量推至更高频率的能力是调制器阶数功能的直接体现。与模拟补偿不同,LMX2485Q-Q1采用的数字反馈技术对于温度变化和晶圆制造工艺变化的抗扰度较高.LMX2485Q-Q1Δ-Σ调制器经编程最高可达四阶,允许设计人员根据需要选择最优调制器阶数,从而满足系统对于相位噪声,杂波和锁定时间的要求。 对LMX2485Q-Q1进行编程的串行数据通过三线制高速(20MHz)MICROWIRE接口进行传输.LMX2485Q-Q1提供精确的频率分辨率,低杂波,快速编程以及改变频率的单字写入功能。这使其成为直接数字调制应用的理想选择。此类应用的N计数器通过信息直接调制.LMX2485Q-Q1采用4.0mm×4.0mm×0.8mm 24引脚超薄型四方扁平无引线(WQFN)封装。 特性 实现低分频系数分频的四模预分频器 射频(RF)锁相环(PLL ):8/9/12/13或16/17/20/21 中频(IF)PLL:8/9或16/17 < li>高级Δ-Σ分频补偿 12位或22位可选分频模量 最高可...

      发表于 2020-11-25 17:13 ? 153次阅读
      LMX2485Q-Q1 用于射频个人通信的汽车类...

      LMX2615-SP 具有相位同步功且支持 JE...

      LMX2615-SP是一款高性能宽带锁相环(PLL),集成了电压控制振荡器(VCO)和稳压器,可输出40MHz的任何频率和没有倍频器的15 GHz,无需?谐波滤波器。此设备上的VCO覆盖整个八度音程,因此频率覆盖范围可达40 MHz。高性能PLL具有-236 dBc /Hz的品质因数和高相位检测器频率,可以实现非常低的带内噪声和集成抖动。 LMX2615-SP允许用户同步设备的多个实例的输出。这意味着可以从任何用例中的设备获得确定性阶段,包括启用分数引擎或输出分频器的设备。它还增加了对生成或重复SYSREF(符合JESD204B标准)的支持,使其成为高速数据转换器的理想低噪声时钟源。 该器件采用德州仪器制造?先进的BiCMOS工艺,采用64引脚CQFP陶瓷封装。 特性 辐射规格 单一事件闩锁> 120MeV-cm 2 /mg < /li> 总电离剂量达到100krad(Si) 40 MHz至15 GHz输出频率 -110 dBc /Hz相位采用15 GHz载波的100 kHz偏移噪声 8 GHz(100 Hz至100 MHz)时54 fs RMS抖动 可编程输出功率 PLL关键规格 品质因数:-236 dBc /Hz 归一化1 /f噪声:-129dBc /Hz 高达200 MHz相位检测器频率< /li> 跨多个设...

      发表于 2020-11-25 17:56 ? 72次阅读
      LMX2615-SP 具有相位同步功且支持 JE...